中国科大：二维材料可外延生长单层蓝磷

2017年1月31日，中国科学技术大学表示，其国际功能材料量子设计中心在二维材料系列研究中取得新进展，理论上预言了在GaN (001)衬底上可外延生长单层蓝磷，并提出非常规的"半层-半层"生长机制。该研究成果以"Half Layer By Half Layer Growth of a Blue Phosphorene Monolayer on a GaN (001) Substrate"为题于2017年1月27日在线发表在国际权威物理学杂志《物理评论快报》上，并被选为编辑推荐。博士生曾犟为第一作...